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SiS468DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
0.10
10
1
0.1
T J = 150 ° C
T J = 25 °C
0.08
0.06
0.04
I D = 10 A
T J = 125 ° C
0.01
0.001
0.02
0.00
T J = 25 ° C
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
2 4 6 8
10
0.4
0.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
80
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0
60
- 0.2
- 0.4
I D = 5 mA
40
- 0.6
- 0.8
I D = 250 μA
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
I DM Limited
10 I D Limited
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1 ms
1
Limited by R DS(on) *
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
1s
10 s
0.01
Single Pulse
BVDSS Limited
DC
0.01
0.1 1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 63750
S12-0542-Rev. A, 12-Mar-12
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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